【產品名稱】石墨烯晶體生長爐

【額定溫度】1200℃

【控溫精度】±1℃ 

【應用領域】高質量石墨烯的可控制備是各種基礎研究和應用開發的基礎,是迫切需要進行深入研究的重大基礎科學問題之一。石墨烯的可控制備涉及到對其大小、形貌、邊界、晶體結構的完美程度、摻雜等方面的控制。本設備以化學氣相沉積方法(CVD)生長石墨烯，大尺寸石墨烯產品的制備，爐管管徑200mm，加熱區2000mm，12個溫區多段控制，計算機DCS集成控制，溫場梯度控制，溫場穩定，均勻，產成品高。